На прошлой неделе китайская компания YMTC сообщила о разработке 128-слойной флеш-памяти 3D NAND рекордного объёма. Китайцы пропустят этап производства 96-слойной памяти и в конце года сразу начнут выпускать 128-слойную память. Тем самым они выйдут на уровень лидеров отрасли, что равноценно размахиванию красной тряпкой перед глазами быка. И «быки» отреагировали как положено.

Южнокорейский сайт ETNews сообщил, что компания Samsung ускорила разработку 160-слойной 3D NAND (или V-NAND, как называют в компании многослойную флеш-память). У Samsung это называется стратегия «суперзазора» или игра на упреждение, что должно помочь южнокорейским технологическим лидерам оставаться впереди конкурентов. Поскольку успешность Samsung лежит в основе южнокорейской экономики, это вопрос процветания целой нации, поэтому в компании серьёзно относятся к своей работе.

Память со 100+ слоями Samsung представила в августе прошлого года. Можно считать, что компания уже третий квартал подряд выпускает условно 128-слойную память (точное число слоёв доподлинно остаётся неизвестным). Следующей на сцене должна появиться память Samsung с 160 или даже с большим числом слоёв. Она будет относиться к 7-му поколению памяти V-NAND. По слухам, компания добилась значительного прогресса в деле её разработки. Есть мнение, что Samsung первой покорит рубеж в 160 слоёв, как это произошло со всеми предыдущими поколениями памяти 3D NAND.

Источник: 3dnews.ru