На мероприятии HotChips 33 компания Samsung рассказала подробнее о модулях памяти DDR5-7200 объемом 512 ГБ, которые были представлены в марте.

В этих модулях используются восьмислойные микросхемы DRAM. В каждой из них упаковано восемь кристаллов плотностью 16 Гбит, соединенных между собой с применением технологии межслойных соединений (Through-Silicon Vias, TSV). Новая память превосходит свою предшественницу DDR4 по производительности, скорости передачи данных и объему. При этом, работая при напряжении питания всего 1,1 В, она потребляет на 13% меньше электроэнергии.

Вместе с тем, по оценке Samsung, массовый рынок перейдет от DDR4 к DDR5 не ранее, чем в 2023 иди даже в 2024 году. Это можно объяснить тем, что вышеперечисленным преимуществам сопутствует более высокая цена. Неудивительно, что первыми на DDR5 перейдут суперкомпьютеры и серверы. Южнокорейский производитель подтвердил намерение начать поставки серверных модулей DDR5-7200 объемом 512 ГБ в конце текущего года.