Компания Micron Technology объявила о начале поставок первых в мире модулей Universal Flash Storage (UFS) 3.1, в которых используется 176-слойная флеш-память 3D NAND. По словам производителя, этим модули предназначены для смартфонов верхнего сегмента. Они позволяют раскрыть потенциал 5G, обеспечивая прирост до 75% по скорости последовательной записи и до 70% по скорости чтения с произвольным доступом по сравнению с «предыдущими поколениями». Под таковыми подразумеваются модули UFS 3.1 производства Micron, в которых используется 96-слойная флеш-память. Для наглядности Micron приводит следующий пример: загрузка двухчасового фильма в разрешении 4К занимает 9,6 с.

Как утверждается, по показателю смешанной производительности модули UFS 3.1 на основе 176-слойных микросхем обеспечивают прирост на 15%. Что касается ресурса, превосходство 176-слойной памяти над 96-слойной доходит до двукратного.

Модули уже доступны. Они выпускаются объемом 128, 256 и 512 ГБ.