Компания Micron Technology объявила о начале поставок первой в мире 176-слойной флеш-памяти 3D NAND. По словам производителя, использование передовой архитектуры позволило совершить «радикальный прорыв», значительно повысив не только плотность хранения, но и производительность. Новая память найдет применение в хранилищах для центров обработки данных, интеллектуальных периферийных устройства и мобильных устройствах.

Новинка представляет собой пятое поколение 3D NAND и второе поколение архитектуры RG (replacement-gate), будучи наиболее передовой в технологическом плане среди разработок, доступных на рынке. По сравнению с предыдущим поколением 3D NAND производства Micron задержки чтения и записи уменьшены более чем на 35%. Еще одним достоинством является компактный дизайн — кристалл 176-слойной памяти примерно на 30% меньше, чем лучшее в классе предложение конкурентов, поэтому новая память идеально подходит для применений, где важен малый форм-фактор.

Пятое поколение 3D NAND Micron также отличается лучшей в отрасли скоростью передачи данных — 1600 млн пересылок в секунду (MT/s) по шине Open NAND Flash Interface (ONFI), что на 33% больше показателя 1200 MT/s, демонстрируемого 96-слойной и 128-слойной памятью 3D NAND Micron предыдущих поколений.

Micron работает с представителями отрасли, чтобы ускорить внедрение новой памяти. Уже сейчас она используется в потребительских твердотельных накопителях Crucial.