Компания Toshiba объявила о строительстве новой фабрики по производству силовых полупроводниковых изделий с использованием 300-миллиметровых пластин. По словам Toshiba, транзисторы MOSFET, IGBT и другие силовые компоненты сейчас очень востребованы. Фабрика будет также выпускать слаботочные и оптоэлектронные приборы.

Предприятие будет расположено на основной производственной базе дискретных полупроводниковых приборов Kaga Toshiba Electronics Corporation в префектуре Исикава. Строительство планируется выполнить в два этапа, что «позволит оптимизировать темпы инвестиций в соответствии с рыночными тенденциями». Запуск первой очереди производства запланирован на 2024 финансовый год. Когда первая очередь выйдет на полную мощность, возможности Toshiba по выпуску силовых полупроводниковых приборов увеличатся в 2,5 раза по сравнению с уровнем 2021 финансового года.

Новая фабрика будет устойчива к землетрясениям, оснащена аварийными и резервными системами, включая двойные линии электроснабжения. К её особенностям отнесено новейшее энергосберегающее производственное оборудование и высокая эффективность, обеспечиваемая внедрением искусственного интеллекта и автоматизированных систем транспортировки пластин.