Компания SK hynix объявила о начале полномасштабного серийного производства высокоскоростной памяти DRAM или HBM2E. О разработке этой памяти южнокорейский производитель сообщил в августе прошлого года. Другими словами, на освоение серийного производства HBM2E компании понадобилось около 10 месяцев.

Располагая 1024-разрядной шиной, каждая линия которой работает со скоростью 3,6 Гбит/с, память HBM2E обеспечивает пропускную способность 460 ГБ/с, превосходя память HBM2 по этому показателю на 50%.

В стеке HBM2E может быть до восьми кристаллов плотностью 16 Гбит, связанных с помощью технологии TSV (Through Silicon Via), так что максимальный объем памяти достигает 16 ГБ. Это вдвое больше, чем в случае памяти HBM2.

По словам SK Hynix, HBM2E — «оптимальное решение» для памяти систем ИИ следующего поколения, ускорителей глубокого обучения и суперкомпьютеров. Ожидается, что она найдет применение в суперкомпьютере экcафлопсного уровня, который сможет вывести фундаментальные и прикладные научные исследования на новый уровень.