Уже в этом году грядёт появление первых 5-нм процессоров производства TSMC, а в 2022-м ожидается выход 3-нм решений. Однако на этом компания останавливаться не намерена и уже работает над освоением более точных техпроцессов. Теперь стали известны новые подробности об этой технологии.

Как сообщается, TSMC собирается отказаться от использования уже достаточно старой технологии FinFET в пользу более перспективной GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistor). В первом случае применяется вертикальное расположение каналов, в то время как новый техпроцесс основан на горизонтальном с круговым затвором. Последний полностью окружает канал, что предотвращает утечки тока, свойственные для FinFET. Как результат, это позволяет решить проблемы с рассеиванием тепла и снизить энергопотребление.

По данным источника, TSMC официально объявит о переходе на GAAFET в рамках следующего ежегодного технического форума. Что касается сроков появления первых 2-нм процессоров, то в случае успешных тестов их массовое производство может начаться уже в 2023 году.

Источник: 4pda.ru