Компании Kioxia и Western Digital сегодня объявили о разработке технологии 162-слойной флеш-памяти 3D NAND шестого поколения. Ее создание названо «очередной вехой в 20-летнем партнерстве».

Флеш-память шестого поколения отличается передовой архитектурой, позволившей на 10% повысить плотность массива ячеек в горизонтальной плоскости по сравнению с технологией пятого поколения. В сочетании с 162 уровнями в вертикальном направлении это позволило уменьшить площадь кристалла при той же информационной емкости на 40% по сравнению со 112-слойной памятью, что привело к «оптимизации себестоимости».

Разработчики также применили размещение логической схемы под массивом ячеек и работу с четырьмя областями одновременно, чем в совокупности обеспечили прирост производительности при записи почти в 2,4 раза и уменьшение задержки чтения на 10% по сравнению с предыдущим поколением. Производительность подсистемы ввода-вывода улучшена на 66%.

В целом, новая технология флэш-памяти снижает стоимость в расчете на бит и увеличивает информационную емкость в расчете на пластину по сравнению с предыдущим поколением на 70%.

Когда начнется серийный выпуск новой памяти, партнеры не уточняют.