Micron создает мобильные чипы памяти следующего поколения

Разработчик микросхем Micron Technology объявил, что начинает отгружать пользователям и партнерам мобильные чипы памяти DRAM следующего поколения. Новые чипы имеют объем 512 Мб, тактовую частоту до 200 МГц и пропускную способность до 400 Мб/с. Этот компонент был специально разработан для мобильных устройств, предназначенных для активного мультимедийного использования.

Micron подчеркивает, что данный чип памяти специально разработан для мощных устройств, где требуется повышенная пропускная способность. На таких устройствах можно без потери качества работать одновременно в нескольких приложениях или воспроизводить видео в высоком качестве.

Новые модули памяти соответствуют стандарту энергопотребления JEDEC и могут работать при температурах от -40 до +85 градусов по Цельсию.

Начало массового производства чипа намечено на вторую половину 2008 года.