Компания Ramtron International Corporation, один из лидеров производства энергонезависимой памяти, объявила о создании нового типа памяти – F-RAM (ferroelectric random access memory, оперативная память на основе ферроэлектриков). У новой памяти серийный периферийный интерфейс (SPI), высокая плотность хранения данных (до 2 Мбит), низкое энергопотребление (3 В) и широкий диапазон рабочих температур (от -40 до +85 градусов по Цельсию). Память производится по 130-нм техпроцессу.

Производитель планирует использовать F-RAM в первую очередь в портативных устройствах: ноутбуках, смартфонах, телефонах. По ряду показателей она превосходит традиционную флэш-память, в первую очередь это энергопотребление, скорость записи и долговечность. Так, модель с индексом FM25H20 обладает практически бесконечным сроком жизни. Кроме того, F-RAM позволяет интегрировать на аппаратном уровне защиту от перезаписывания и уничтожения данных, что может привлечь корпоративных пользователей и государственные структуры. Осталось дождаться, когда новинка получит широкое массовое применение.